Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > TK12E80W,S1X
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3063680

TK12E80W,S1X

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$3.80
50+
$3.053
100+
$2.782
500+
$2.253
1000+
$1.90
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    TK12E80W,S1X
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    TK12E80W,S1X.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 570µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220
  • Seria
    DTMOSIV
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    450 mOhm @ 5.8A, 10V
  • Strata mocy (max)
    165W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3
  • Inne nazwy
    TK12E80W,S1X(S
    TK12E80WS1X
  • temperatura robocza
    150°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1400pF @ 300V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    800V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 800V 11.5A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-220
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    11.5A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „TK12E80W,S1X”.
TK13A60D(STA4,Q,M)

TK13A60D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK12A60U(Q,M)

TK12A60U(Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK1305800000G

TK1305800000G

Opis: 500 TB WIR PRO 180D SOL

Producenci: Anytek (Amphenol Anytek)
Na stanie
RFQ
TK12A80W,S4X

TK12A80W,S4X

Opis: MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK12A60W,S4VX

TK12A60W,S4VX

Opis: MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK12E60W,S1VX

TK12E60W,S1VX

Opis: MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK13A50D(STA4,Q,M)

TK13A50D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 500V 13A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK13A45D(STA4,Q,M)

TK13A45D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 450V 13A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK12A55D(STA4,Q,M)

TK12A55D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 550V 12A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK12V60W,LVQ

TK12V60W,LVQ

Opis: MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK12A60D(STA4,Q,M)

TK12A60D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK13A50DA(STA4,Q,M

TK13A50DA(STA4,Q,M

Opis: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK12P60W,RVQ

TK12P60W,RVQ

Opis: MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK12A50D(STA4,Q,M)

TK12A50D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK12A50E,S4X

TK12A50E,S4X

Opis: MOSFET N-CH 500V TO220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK12J60U(F)

TK12J60U(F)

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO-3PN

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK12A53D(STA4,Q,M)

TK12A53D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 525V 12A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK12A45D(STA4,Q,M)

TK12A45D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 450V 12A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK12Q60W,S1VQ

TK12Q60W,S1VQ

Opis: MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK13A55DA(STA4,QM)

TK13A55DA(STA4,QM)

Opis: MOSFET N-CH 550V 12.5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.