Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > TK12A50E,S4X
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5957995Obraz TK12A50E,S4X.Toshiba Semiconductor and Storage

TK12A50E,S4X

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$2.27
50+
$1.831
100+
$1.648
500+
$1.282
1000+
$1.062
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    TK12A50E,S4X
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 500V TO220SIS
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    TK12A50E,S4X.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 1.2mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220SIS
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    520 mOhm @ 6A, 10V
  • Strata mocy (max)
    45W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3 Full Pack
  • Inne nazwy
    TK12A50E,S4X(S
    TK12A50E,S5X
    TK12A50E,S5X(M
    TK12A50ES4X
    TK12A50ES4X(S
    TK12A50ES4X(S-ND
    TK12A50ES5X
    TK12A50ES5X-ND
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1300pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    40nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    500V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 500V 12A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „TK12A50E,S4X”.
TK1205800000G

TK1205800000G

Opis: 500 TB WIR PRO 180D SOL

Producenci: Anytek (Amphenol Anytek)
Na stanie
RFQ
TK12E60W,S1VX

TK12E60W,S1VX

Opis: MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK12A45D(STA4,Q,M)

TK12A45D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 450V 12A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK12A80W,S4X

TK12A80W,S4X

Opis: MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK11A55D(STA4,Q,M)

TK11A55D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 550V 11A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK11250CMCL-GH

TK11250CMCL-GH

Opis: IC REG LINEAR 5V 300MA SOT23L-6

Producenci: Asahi Kasei Microdevices / AKM Semiconductor
Na stanie
RFQ
TK12P60W,RVQ

TK12P60W,RVQ

Opis: MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK12J60U(F)

TK12J60U(F)

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO-3PN

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK11A60D(STA4,Q,M)

TK11A60D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK12A55D(STA4,Q,M)

TK12A55D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 550V 12A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK12A60D(STA4,Q,M)

TK12A60D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK11A45D(STA4,Q,M)

TK11A45D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 450V 11A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK12E80W,S1X

TK12E80W,S1X

Opis: MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK11P65W,RQ

TK11P65W,RQ

Opis: MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK12A60W,S4VX

TK12A60W,S4VX

Opis: MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK11A50D(STA4,Q,M)

TK11A50D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 500V 11A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK12A60U(Q,M)

TK12A60U(Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK11A65W,S5X

TK11A65W,S5X

Opis: MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK12A53D(STA4,Q,M)

TK12A53D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 525V 12A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK12A50D(STA4,Q,M)

TK12A50D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.