Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SSM6N58NU,LF
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6153500Obraz SSM6N58NU,LF.Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N58NU,LF

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.144
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SSM6N58NU,LF
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SSM6N58NU,LF.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    6-UDFN (2x2)
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    84 mOhm @ 2A, 4.5V
  • Moc - Max
    1W
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    6-WDFN Exposed Pad
  • Inne nazwy
    SSM6N58NU,LF(B
    SSM6N58NU,LF(T
    SSM6N58NULF
    SSM6N58NULFTR
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    129pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    1.8nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Cecha FET
    Logic Level Gate, 1.8V Drive
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 1W Surface Mount 6-UDFN (2x2)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    4A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SSM6N58NU,LF”.
SSM6N67NU,LF

SSM6N67NU,LF

Opis: SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS I

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6N48FU,LF

SSM6N48FU,LF

Opis: X34 PB-F SOT-363 S-MOS (LF) TRAN

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6N42FE(TE85L,F)

SSM6N42FE(TE85L,F)

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6N57NU,LF

SSM6N57NU,LF

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6N7002KFU,LF

SSM6N7002KFU,LF

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6N56FE,LM

SSM6N56FE,LM

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6N68NU,LF

SSM6N68NU,LF

Opis: SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS H

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6N48FU,RF(D

SSM6N48FU,RF(D

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6N7002BFE(T5L,F

SSM6N7002BFE(T5L,F

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6N815R,LF

SSM6N815R,LF

Opis: MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6N7002BFE,LM

SSM6N7002BFE,LM

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6N7002BFU(T5L,F

SSM6N7002BFU(T5L,F

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6N39TU,LF

SSM6N39TU,LF

Opis: MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 1.6A UF6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6N7002CFU,LF

SSM6N7002CFU,LF

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6N7002BFU,LF

SSM6N7002BFU,LF

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6N48FU,RF

SSM6N48FU,RF

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6N55NU,LF(T

SSM6N55NU,LF(T

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6N61NU,LF

SSM6N61NU,LF

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6N43FU,LF

SSM6N43FU,LF

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6N44FE,LM

SSM6N44FE,LM

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.