Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SSM6N815R,LF
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4988780Obraz SSM6N815R,LF.Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N815R,LF

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.55
10+
$0.46
100+
$0.345
500+
$0.253
1000+
$0.195
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SSM6N815R,LF
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SSM6N815R,LF.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 100µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    6-TSOP-F
  • Seria
    U-MOSVIII-H
  • Moc - Max
    1.8W (Ta)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    6-SMD, Flat Leads
  • Inne nazwy
    SSM6N815RLFDKR
  • temperatura robocza
    150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    290pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    3.1nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Cecha FET
    Logic Level Gate, 4V Drive
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    2A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SSM6N815R,LF”.
SSM6P15FE(TE85L,F)

SSM6P15FE(TE85L,F)

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6N7002KFU,LF

SSM6N7002KFU,LF

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6N57NU,LF

SSM6N57NU,LF

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6P47NU,LF(T

SSM6P47NU,LF(T

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6N7002BFU(T5L,F

SSM6N7002BFU(T5L,F

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6P35FE(TE85L,F)

SSM6P35FE(TE85L,F)

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6P35FE,LM

SSM6P35FE,LM

Opis: MOSFET 2NCH 20V 100MA ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6N68NU,LF

SSM6N68NU,LF

Opis: SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS H

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6P16FE(TE85L,F)

SSM6P16FE(TE85L,F)

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6N7002BFU,LF

SSM6N7002BFU,LF

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6N58NU,LF

SSM6N58NU,LF

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6N7002BFE(T5L,F

SSM6N7002BFE(T5L,F

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6N61NU,LF

SSM6N61NU,LF

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6P41FE(TE85L,F)

SSM6P41FE(TE85L,F)

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6P36FE,LM

SSM6P36FE,LM

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6N7002BFE,LM

SSM6N7002BFE,LM

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6N56FE,LM

SSM6N56FE,LM

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6N67NU,LF

SSM6N67NU,LF

Opis: SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS I

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6N7002CFU,LF

SSM6N7002CFU,LF

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6P49NU,LF

SSM6P49NU,LF

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.