Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - pojedyncze, wst > RN2112ACT(TPL3)
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
286068Obraz RN2112ACT(TPL3).Toshiba Semiconductor and Storage

RN2112ACT(TPL3)

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RN2112ACT(TPL3)
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RN2112ACT(TPL3).pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    50V
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    150mV @ 250µA, 5mA
  • Typ tranzystora
    PNP - Pre-Biased
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    CST3
  • Seria
    -
  • Rezystor - Podstawa (R1)
    22 kOhms
  • Moc - Max
    100mW
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    SC-101, SOT-883
  • Inne nazwy
    RN2112ACT(TPL3)DKR
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    100nA (ICBO)
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    80mA

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RN2112ACT(TPL3)”.
RN2109MFV,L3F

RN2109MFV,L3F

Opis: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2115MFV,L3F

RN2115MFV,L3F

Opis: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2117MFV,L3F

RN2117MFV,L3F

Opis: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2113ACT(TPL3)

RN2113ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2111CT(TPL3)

RN2111CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2114MFV,L3F

RN2114MFV,L3F

Opis: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2110,LF(CB

RN2110,LF(CB

Opis: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2117(T5L,F,T)

RN2117(T5L,F,T)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2116,LF(CT

RN2116,LF(CT

Opis: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2115,LF(CB

RN2115,LF(CB

Opis: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2112,LF(CT

RN2112,LF(CT

Opis: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2112CT(TPL3)

RN2112CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2111MFV,L3F

RN2111MFV,L3F

Opis: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2110MFV,L3F

RN2110MFV,L3F

Opis: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2111ACT(TPL3)

RN2111ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2110CT(TPL3)

RN2110CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2111,LF(CB

RN2111,LF(CB

Opis: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2110ACT(TPL3)

RN2110ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2113CT(TPL3)

RN2113CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2114(TE85L,F)

RN2114(TE85L,F)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.