Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - pojedyncze, wst > RN2111,LF(CB

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

151482

Obraz RN2111,LF(CB.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2111,LF(CB

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

3000+

$0.036

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

RN2111,LF(CB
Producent / marka

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

RN2111,LF(CB.pdf
Napięcie - kolektor emiter (Max)

50V
Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC

300mV @ 250µA, 5mA
Typ tranzystora

PNP - Pre-Biased
Dostawca urządzeń Pakiet

SSM
Seria

-
Rezystor - Podstawa (R1)

10 kOhms
Moc - Max

100mW
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

SC-75, SOT-416
Inne nazwy

RN2111(T5L,F,T)
RN2111(T5LFT)TR
RN2111(T5LFT)TR-ND
RN2111,LF(CT
RN2111LF(CBTR
RN2111LF(CTTR
RN2111LF(CTTR-ND
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

16 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Częstotliwość - Transition

200MHz
szczegółowy opis

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V
Obecny - Collector odcięcia (Max)

100nA (ICBO)
Obecny - Collector (Ic) (maks)

100mA

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „RN2111,LF(CB”.

RN2113ACT(TPL3)

RN2113ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2110,LF(CB

Opis: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2110CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2114(TE85L,F)

RN2114(TE85L,F)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2110MFV,L3F

RN2110MFV,L3F

Opis: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2112CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2112,LF(CT

Opis: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2109ACT(TPL3)

RN2109ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2111MFV,L3F

RN2111MFV,L3F

Opis: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2108ACT(TPL3)

RN2108ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2108MFV,L3F

RN2108MFV,L3F

Opis: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2113CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2114MFV,L3F

RN2114MFV,L3F

Opis: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2111CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2109CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2111ACT(TPL3)

RN2111ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2108CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2110ACT(TPL3)

RN2110ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2109MFV,L3F

RN2109MFV,L3F

Opis: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2112ACT(TPL3)

RN2112ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.