Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - pojedyncze, wst > RN2111ACT(TPL3)
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2038930Obraz RN2111ACT(TPL3).Toshiba Semiconductor and Storage

RN2111ACT(TPL3)

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RN2111ACT(TPL3)
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RN2111ACT(TPL3).pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    80mA
  • Napięcie - Podział
    CST3
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    50V
  • Seria
    -
  • Stan RoHS
    Cut Tape (CT)
  • Opornik - Emiter bazowa (R2) (Ohm)
    10k
  • Opornik - Baza (R1) (Ohm)
    -
  • Moc - Max
    100mW
  • Polaryzacja
    SC-101, SOT-883
  • Inne nazwy
    RN2111ACT(TPL3)CT
  • Noise Figure (dB Typ @ f)
    -
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    RN2111ACT(TPL3)
  • Częstotliwość - Transition
    120 @ 1mA, 5V
  • Rozszerzony opis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
  • Opis
    TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    100nA (ICBO)
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    150mV @ 250µA, 5mA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    PNP - Pre-Biased

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RN2111ACT(TPL3)”.
RN2114(TE85L,F)

RN2114(TE85L,F)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2111MFV,L3F

RN2111MFV,L3F

Opis: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2110MFV,L3F

RN2110MFV,L3F

Opis: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2110ACT(TPL3)

RN2110ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2108MFV,L3F

RN2108MFV,L3F

Opis: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2112ACT(TPL3)

RN2112ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2114MFV,L3F

RN2114MFV,L3F

Opis: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2112CT(TPL3)

RN2112CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2108CT(TPL3)

RN2108CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2109ACT(TPL3)

RN2109ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2113ACT(TPL3)

RN2113ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2113CT(TPL3)

RN2113CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2111,LF(CB

RN2111,LF(CB

Opis: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2110,LF(CB

RN2110,LF(CB

Opis: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2112,LF(CT

RN2112,LF(CT

Opis: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2109CT(TPL3)

RN2109CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2109MFV,L3F

RN2109MFV,L3F

Opis: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2115,LF(CB

RN2115,LF(CB

Opis: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2111CT(TPL3)

RN2111CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2110CT(TPL3)

RN2110CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.