Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - pojedyncze, wst > RN1115MFV,L3F
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
508895Obraz RN1115MFV,L3F.Toshiba Semiconductor and Storage

RN1115MFV,L3F

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
8000+
$0.027
16000+
$0.023
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RN1115MFV,L3F
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RN1115MFV,L3F.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    50V
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Typ tranzystora
    NPN - Pre-Biased
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    VESM
  • Seria
    -
  • Rezystor - podstawa nadajnika (R2)
    10 kOhms
  • Rezystor - Podstawa (R1)
    2.2 kOhms
  • Moc - Max
    150mW
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SOT-723
  • Inne nazwy
    RN1115MFV,L3F(B
    RN1115MFV,L3F(T
    RN1115MFVL3FTR
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Częstotliwość - Transition
    250MHz
  • szczegółowy opis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    50 @ 10mA, 5V
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    500nA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    100mA

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RN1115MFV,L3F”.
RN112-0.4-02-27M

RN112-0.4-02-27M

Opis: CMC 27MH 400MA 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RFQ
RN1119MFV,L3F

RN1119MFV,L3F

Opis: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN111PC

RN111PC

Opis: CONN JACK MONO 6.35MM R/A

Producenci: Conxall / Switchcraft
Na stanie
RFQ
RN1112CT(TPL3)

RN1112CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN112-0.4-02

RN112-0.4-02

Opis: CMC 39MH 400MA 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RFQ
RN1116MFV,L3F

RN1116MFV,L3F

Opis: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1117MFV,L3F

RN1117MFV,L3F

Opis: TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1113ACT(TPL3)

RN1113ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1118(T5L,F,T)

RN1118(T5L,F,T)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1114(T5L,F,T)

RN1114(T5L,F,T)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1118MFV,L3F

RN1118MFV,L3F

Opis: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1116(TE85L,F)

RN1116(TE85L,F)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1112(T5L,F,T)

RN1112(T5L,F,T)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1113MFV,L3F

RN1113MFV,L3F

Opis: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1113(T5L,F,T)

RN1113(T5L,F,T)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1115,LF(CT

RN1115,LF(CT

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1113CT(TPL3)

RN1113CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1112ACT(TPL3)

RN1112ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1117(T5L,F,T)

RN1117(T5L,F,T)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1114MFV,L3F

RN1114MFV,L3F

Opis: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.