Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - pojedyncze, wst > RN1113MFV,L3F

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

5135611

RN1113MFV,L3F

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

8000+

$0.029

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

RN1113MFV,L3F
Producent / marka

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

RN1113MFV,L3F.pdf
Napięcie - kolektor emiter (Max)

50V
Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC

300mV @ 500µA, 5mA
Typ tranzystora

NPN - Pre-Biased
Dostawca urządzeń Pakiet

VESM
Seria

-
Rezystor - Podstawa (R1)

47 kOhms
Moc - Max

150mW
Package / Case

SOT-723
Inne nazwy

RN1113MFVL3F
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
szczegółowy opis

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V
Obecny - Collector odcięcia (Max)

100nA (ICBO)
Obecny - Collector (Ic) (maks)

100mA

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „RN1113MFV,L3F”.

RN1118MFV,L3F

RN1118MFV,L3F

Opis: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1111ACT(TPL3)

RN1111ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1111,LF(CT

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1118(T5L,F,T)

RN1118(T5L,F,T)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1115MFV,L3F

Opis: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1116MFV,L3F

RN1116MFV,L3F

Opis: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1113(T5L,F,T)

RN1113(T5L,F,T)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1114(T5L,F,T)

RN1114(T5L,F,T)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1114MFV,L3F

RN1114MFV,L3F

Opis: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1117(T5L,F,T)

RN1117(T5L,F,T)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1112(T5L,F,T)

RN1112(T5L,F,T)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1111MFV,L3F

RN1111MFV,L3F

Opis: X34 PB-F VESM PLN (LF) TRANSISTO

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1117MFV,L3F

Opis: TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1112CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1112ACT(TPL3)

RN1112ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1113ACT(TPL3)

RN1113ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1116(TE85L,F)

RN1116(TE85L,F)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1111CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1115,LF(CT

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1113CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.