Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - pojedyncze, wst > RN1106MFV,L3F

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

4268777

Obraz RN1106MFV,L3F.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106MFV,L3F

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

8000+

$0.027

16000+

$0.023

24000+

$0.021

56000+

$0.018

200000+

$0.015

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

RN1106MFV,L3F
Producent / marka

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

TRANS PREBIAS NPN
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

RN1106MFV,L3F.pdf
Napięcie - kolektor emiter (Max)

50V
Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC

300mV @ 500µA, 5mA
Typ tranzystora

NPN - Pre-Biased
Dostawca urządzeń Pakiet

VESM
Seria

-
Rezystor - podstawa nadajnika (R2)

47 kOhms
Rezystor - Podstawa (R1)

4.7 kOhms
Moc - Max

150mW
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

SOT-723
Inne nazwy

RN1106MFV,L3F(B
RN1106MFV,L3F(T
RN1106MFVL3F
RN1106MFVL3F(B
RN1106MFVL3F(T
RN1106MFVL3F-ND
RN1106MFVL3FTR
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

16 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
szczegółowy opis

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Obecny - Collector odcięcia (Max)

500nA
Obecny - Collector (Ic) (maks)

100mA

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „RN1106MFV,L3F”.

RN1108CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1108(T5L,F,T)

RN1108(T5L,F,T)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1106,LF(CT

Opis: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1104T5LFT

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1105MFV,L3F

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1108ACT(TPL3)

RN1108ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1109CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1107,LF(CT

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1106CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1105CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1104MFV,L3F

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1109ACT(TPL3)

RN1109ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1109(T5L,F,T)

RN1109(T5L,F,T)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1106MFV(TL3,T)

RN1106MFV(TL3,T)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1106ACT(TPL3)

RN1106ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1107ACT(TPL3)

RN1107ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1105ACT(TPL3)

RN1105ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1105,LF(CT

Opis: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1109,LF(CT

Opis: TRANS PREBIAS NPN 100MW SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1107CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.