Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - pojedyncze, wst > RN1107ACT(TPL3)
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6395650Obraz RN1107ACT(TPL3).Toshiba Semiconductor and Storage

RN1107ACT(TPL3)

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RN1107ACT(TPL3)
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RN1107ACT(TPL3).pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    50V
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    150mV @ 250µA, 5mA
  • Typ tranzystora
    NPN - Pre-Biased
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    CST3
  • Seria
    -
  • Rezystor - podstawa nadajnika (R2)
    47 kOhms
  • Rezystor - Podstawa (R1)
    10 kOhms
  • Moc - Max
    100mW
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    SC-101, SOT-883
  • Inne nazwy
    RN1107ACT(TPL3)DKR
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    500nA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    80mA

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RN1107ACT(TPL3)”.
RN1106,LF(CT

RN1106,LF(CT

Opis: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1109ACT(TPL3)

RN1109ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1108ACT(TPL3)

RN1108ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1106MFV,L3F

RN1106MFV,L3F

Opis: TRANS PREBIAS NPN

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1105CT(TPL3)

RN1105CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1106ACT(TPL3)

RN1106ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1105,LF(CT

RN1105,LF(CT

Opis: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1109CT(TPL3)

RN1109CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1105MFV,L3F

RN1105MFV,L3F

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1107,LF(CT

RN1107,LF(CT

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1109,LF(CT

RN1109,LF(CT

Opis: TRANS PREBIAS NPN 100MW SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1106MFV(TL3,T)

RN1106MFV(TL3,T)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1106CT(TPL3)

RN1106CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1105ACT(TPL3)

RN1105ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1110(T5L,F,T)

RN1110(T5L,F,T)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1107CT(TPL3)

RN1107CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1108(T5L,F,T)

RN1108(T5L,F,T)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1108CT(TPL3)

RN1108CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1109MFV,L3F

RN1109MFV,L3F

Opis: TRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1109(T5L,F,T)

RN1109(T5L,F,T)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.