Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > S8KC M6G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1895975Obraz S8KC M6G.TSC (Taiwan Semiconductor)

S8KC M6G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
6000+
$0.137
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    S8KC M6G
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    985mV @ 8A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    800V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-214AB (SMC)
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-214AB, SMC
  • Inne nazwy
    S8KC M6G-ND
    S8KCM6G
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 800V 8A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    10µA @ 800V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    8A
  • Pojemność @ VR F
    48pF @ 4V, 1MHz
1N4154TAP

1N4154TAP

Opis: DIODE GEN PURP 25V 150MA DO35

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES1FL MTG

ES1FL MTG

Opis: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
VS-1N3214R

VS-1N3214R

Opis: DIODE GEN PURP 600V 15A DO203AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
SSL34 R7G

SSL34 R7G

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
BAS116LP3-7

BAS116LP3-7

Opis: DIODE GEN PURP 85V 215MA 2DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
SIDC20D60C6

SIDC20D60C6

Opis: DIODE GEN PURP 600V 75A WAFER

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
BYG10JHE3/TR3

BYG10JHE3/TR3

Opis: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
S8KCHR7G

S8KCHR7G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
BYG21KHM3/TR3

BYG21KHM3/TR3

Opis: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
S8KC V7G

S8KC V7G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
SK28-TP

SK28-TP

Opis: DIODE SCHOTTKY 80V 2A DO214AA

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
S8KC R7G

S8KC R7G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
JAN1N5809US

JAN1N5809US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
S8KC V6G

S8KC V6G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
SF16GHA0G

SF16GHA0G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S8KC-13

S8KC-13

Opis: DIODE GEN PURP 800V 8A SMC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
1N276 BK

1N276 BK

Opis: DIODE GEN PURP 50V 40MA DO7

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
S8KCHM6G

S8KCHM6G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
MBR120ESFT3

MBR120ESFT3

Opis: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123L

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
VS-10ETS12PBF

VS-10ETS12PBF

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść