Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > S4J R7G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4964577Obraz S4J R7G.TSC (Taiwan Semiconductor)

S4J R7G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
850+
$0.169
1700+
$0.153
2550+
$0.14
5950+
$0.131
21250+
$0.123
42500+
$0.113
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    S4J R7G
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.15V @ 4A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-214AB (SMC)
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-214AB, SMC
  • Inne nazwy
    S4J R7GTR
    S4J R7GTR-ND
    S4JR7GTR
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 600V 4A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    10µA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    4A
  • Pojemność @ VR F
    60pF @ 4V, 1MHz
NUR460/L04,112

NUR460/L04,112

Opis: DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
DLN10C-BT

DLN10C-BT

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
VS-305U250

VS-305U250

Opis: DIODE GEN PURP 2.5KV 300A DO9

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
S4J V6G

S4J V6G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RL257GP-TP

RL257GP-TP

Opis: DIODE GEN PURP 2.5A 1000V R3

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
S4J M6G

S4J M6G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
FDH333TR

FDH333TR

Opis: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RBK84540XXOO

RBK84540XXOO

Opis: RECTIFIER DISC RBK

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
SS1H20LW RVG

SS1H20LW RVG

Opis: DIODE SCHOTTKY 200V 1A SOD123W

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
SBL1660

SBL1660

Opis: DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO220AC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
HS5J V6G

HS5J V6G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
SF1604PT C0G

SF1604PT C0G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 16A TO247AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S4J V7G

S4J V7G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
SR203HB0G

SR203HB0G

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1MDF-13

RS1MDF-13

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A DFLAT

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
SS19LHRTG

SS19LHRTG

Opis: DIODE SCHOTTKY 90V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RM 10AV

RM 10AV

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL

Producenci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na stanie
SD103A-TR

SD103A-TR

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V DO35

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RMPG06JHE3/54

RMPG06JHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A MPG06

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
FR105G R1G

FR105G R1G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść