Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > S4J M6G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
725990Obraz S4J M6G.TSC (Taiwan Semiconductor)

S4J M6G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
6000+
$0.141
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    S4J M6G
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.15V @ 4A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-214AB (SMC)
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    1.5µs
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-214AB, SMC
  • Inne nazwy
    S4J M6G-ND
    S4JM6G
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 600V 4A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    100µA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    4A
  • Pojemność @ VR F
    60pF @ 4V, 1MHz
RB751G-40T2R

RB751G-40T2R

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 30MA VMD2

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
S4J R7G

S4J R7G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
VS-4EWH02FNTRR-M3

VS-4EWH02FNTRR-M3

Opis: DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5291-1

1N5291-1

Opis: CURRENT REGULATOR DIODE

Producenci: Microsemi
Na stanie
LSM315GE3/TR13

LSM315GE3/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 15V 3A DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N5621

JAN1N5621

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RS3DHR7G

RS3DHR7G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S4J V7G

S4J V7G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
GSXD300A170S2D5

GSXD300A170S2D5

Opis: DIODE GP 1.7KV 300A ADD-A-PAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
SK520CHR7G

SK520CHR7G

Opis: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
BAS34-TR

BAS34-TR

Opis: DIODE GEN PURP 60V 200MA DO35

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
S4J V6G

S4J V6G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
SR1202HA0G

SR1202HA0G

Opis: DIODE SCHOTTKY 20V 12A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RSX205LAM30TFTR

RSX205LAM30TFTR

Opis: AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
SCHF7500

SCHF7500

Opis: DIODE GEN PURP 7.5KV 500MA AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
VIT3060G-M3/4W

VIT3060G-M3/4W

Opis: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO262AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
JANTXV1N5551

JANTXV1N5551

Opis: DIODE GEN PURP 400V 5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RS2DHE3_A/I

RS2DHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
CS2K-E3/I

CS2K-E3/I

Opis: DIODE GPP 2A 800V DO-214AA SMB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
VS-72HFR10

VS-72HFR10

Opis: DIODE GEN PURP 100V 70A DO203AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść