Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > RS1GFS MXG
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6073384Obraz RS1GFS MXG.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1GFS MXG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
14000+
$0.054
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RS1GFS MXG
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE, FAST, 1A, 400V
  • Stan ołowiu / status RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.3V @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    400V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOD-128
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    150ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SOD-128
  • Inne nazwy
    RS1GFSMXG
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount SOD-128
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 400V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    7pF @ 4V, 1MHz
RS1GB-13

RS1GB-13

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RS1GHE3_A/H

RS1GHE3_A/H

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RS1GB-13-F

RS1GB-13-F

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RS1GHE3/61T

RS1GHE3/61T

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RS1GFA

RS1GFA

Opis: DIODE GP 400V 800MA SOD123FA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RS1GHE3_A/I

RS1GHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RS1GHR3G

RS1GHR3G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1GFSHMWG

RS1GFSHMWG

Opis: DIODE

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1G150MNTB

RS1G150MNTB

Opis: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RS1G300GNTB

RS1G300GNTB

Opis: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RS1GFS MWG

RS1GFS MWG

Opis: DIODE

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1G180MNTB

RS1G180MNTB

Opis: MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RS1GFSHMXG

RS1GFSHMXG

Opis: DIODE, FAST, 1A, 400V

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1G120MNTB

RS1G120MNTB

Opis: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RS1GL MHG

RS1GL MHG

Opis: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1G260MNTB

RS1G260MNTB

Opis: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RS1G/1

RS1G/1

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RS1GL M2G

RS1GL M2G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1GHM2G

RS1GHM2G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1GHE3/5AT

RS1GHE3/5AT

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść