Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > RS1GFA
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5541149Obraz RS1GFA.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

RS1GFA

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.48
10+
$0.357
100+
$0.202
500+
$0.134
1000+
$0.103
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RS1GFA
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GP 400V 800MA SOD123FA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RS1GFA.pdf
  • Model ECAD
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.3V @ 800mA
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    400V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOD-123FA
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    250ns
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    SOD-123W
  • Inne nazwy
    RS1GFADKR
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    15 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 400V 800mA Surface Mount SOD-123FA
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 400V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    800mA
  • Pojemność @ VR F
    10pF @ 4V, 1MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RS1GFA”.
RS1GFSHMWG

RS1GFSHMWG

Opis: DIODE

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1GB-13

RS1GB-13

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
RS1GFSHMXG

RS1GFSHMXG

Opis: DIODE, FAST, 1A, 400V

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1G120MNTB

RS1G120MNTB

Opis: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RS1G-M3/61T

RS1G-M3/61T

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RS1GHE3/5AT

RS1GHE3/5AT

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RS1G/1

RS1G/1

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RS1G-M3/5AT

RS1G-M3/5AT

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RS1GFS MWG

RS1GFS MWG

Opis: DIODE

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1G180MNTB

RS1G180MNTB

Opis: MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RS1GFS MXG

RS1GFS MXG

Opis: DIODE, FAST, 1A, 400V

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1G300GNTB

RS1G300GNTB

Opis: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RS1G260MNTB

RS1G260MNTB

Opis: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RS1GHE3/61T

RS1GHE3/61T

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RS1GHE3_A/I

RS1GHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RS1GHR3G

RS1GHR3G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1GHM2G

RS1GHM2G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
RS1G150MNTB

RS1G150MNTB

Opis: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RS1GHE3_A/H

RS1GHE3_A/H

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RS1GB-13-F

RS1GB-13-F

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.