Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > ES1JLHR3G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2683425Obraz ES1JLHR3G.TSC (Taiwan Semiconductor)

ES1JLHR3G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
7200+
$0.088
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    ES1JLHR3G
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.7V @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Sub SMA
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    35ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-219AB
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    21 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount Sub SMA
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    8pF @ 4V, 1MHz
ES1JLHRHG

ES1JLHRHG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JL RFG

ES1JL RFG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JL RQG

ES1JL RQG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JLHMQG

ES1JLHMQG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JLHM2G

ES1JLHM2G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JLHRQG

ES1JLHRQG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1K-TP

ES1K-TP

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
ES1JLW RVG

ES1JLW RVG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JL RUG

ES1JL RUG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JLHRVG

ES1JLHRVG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JLWHRVG

ES1JLWHRVG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JL RTG

ES1JL RTG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JLHRFG

ES1JLHRFG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JLHRTG

ES1JLHRTG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JL RHG

ES1JL RHG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JLHMHG

ES1JLHMHG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JLHRUG

ES1JLHRUG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JL RVG

ES1JL RVG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JLHMTG

ES1JLHMTG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JTR

ES1JTR

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść