Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > ES1JTR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3274339Obraz ES1JTR.Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

ES1JTR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
5000+
$0.063
10000+
$0.056
25000+
$0.052
50000+
$0.046
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    ES1JTR
  • Producent / marka
    Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    ES1JTR.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    950mV @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SMA
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    35ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-214AC, SMA
  • Inne nazwy
    1655-1425-2
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    6 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount SMA
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    45pF @ 4V, 1MHz

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „ES1JTR”.
ES1LG R3G

ES1LG R3G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
ES1LGHM2G

ES1LGHM2G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
ES1K-TP

ES1K-TP

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
ES1JLHRTG

ES1JLHRTG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
ES1LDHM2G

ES1LDHM2G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
ES1KE-TP

ES1KE-TP

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
ES1JLHRQG

ES1JLHRQG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
ES1JLW RVG

ES1JLW RVG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
ES1LD R3G

ES1LD R3G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
ES1LJ R3G

ES1LJ R3G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
ES1LG M2G

ES1LG M2G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
ES1JLHRHG

ES1JLHRHG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
ES1JLWHRVG

ES1JLWHRVG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
ES1LD M2G

ES1LD M2G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
ES1LJ M2G

ES1LJ M2G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
ES1JLHRUG

ES1JLHRUG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
ES1JLHRFG

ES1JLHRFG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
ES1JLHR3G

ES1JLHR3G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
ES1JLHMTG

ES1JLHMTG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
ES1JLHRVG

ES1JLHRVG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.