Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N5408GTA
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1295866Obraz 1N5408GTA.Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

1N5408GTA

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.40
10+
$0.289
100+
$0.17
500+
$0.096
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N5408GTA
  • Producent / marka
    Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    STANDARD RECTIFIER 1000V DO-201A
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1N5408GTA.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.1V @ 3A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    1000V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-201AD
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    DO-201AD, Axial
  • Inne nazwy
    1655-1960-1
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    6 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 1000V 3A Through Hole DO-201AD
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 1000V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    3A
  • Pojemność @ VR F
    30pF @ 4V, 1MHz

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „1N5408GTA”.
1N5408RL

1N5408RL

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N5408G

1N5408G

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N5408GP-TP

1N5408GP-TP

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
1N5415US

1N5415US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5408TA

1N5408TA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
RFQ
1N5416US

1N5416US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5408RLG

1N5408RLG

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N5417C.TR

1N5417C.TR

Opis: DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
RFQ
1N5408GHR0G

1N5408GHR0G

Opis: DIODE GEN PURP 3A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
1N5408G-T

1N5408G-T

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
1N5408GHA0G

1N5408GHA0G

Opis: DIODE GEN PURP 3A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
1N5408-T

1N5408-T

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
1N5417

1N5417

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5408GHB0G

1N5408GHB0G

Opis: DIODE GEN PURP 3A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
1N5408-TP

1N5408-TP

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
1N5408GP-E3/54

1N5408GP-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5415

1N5415

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
1N5408G A0G

1N5408G A0G

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
1N5416

1N5416

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5417-TAP

1N5417-TAP

Opis: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.