Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N5416
Poproś o wycenę
polski
4041743Obraz 1N5416.Microsemi

1N5416

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$8.98
10+
$8.08
100+
$6.643
500+
$5.566
1000+
$4.848
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N5416
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.5V @ 9A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    100V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    -
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    150ns
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    B, Axial
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    7 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 100V 3A Through Hole
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1µA @ 100V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    3A
  • Pojemność @ VR F
    -
1N5417

1N5417

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5418

1N5418

Opis:

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5408GHB0G

1N5408GHB0G

Opis: DIODE GEN PURP 3A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
1N5417US

1N5417US

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5408TA

1N5408TA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
1N5408GTA

1N5408GTA

Opis: STANDARD RECTIFIER 1000V DO-201A

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
1N5418-TAP

1N5418-TAP

Opis: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5418C.TR

1N5418C.TR

Opis: DIODE GEN PURP 400V 4.5A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5417C.TR

1N5417C.TR

Opis: DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5417TR

1N5417TR

Opis: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5408RLG

1N5408RLG

Opis:

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
1N5418TR

1N5418TR

Opis: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5415US

1N5415US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5408GP-TP

1N5408GP-TP

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
1N5417-TAP

1N5417-TAP

Opis: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5408GHR0G

1N5408GHR0G

Opis: DIODE GEN PURP 3A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
1N5408RL

1N5408RL

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
1N5415

1N5415

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
1N5408GP-E3/54

1N5408GP-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5416US

1N5416US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść