Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N5417US
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
285003Obraz 1N5417US.Microsemi

1N5417US

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$14.28
10+
$12.978
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N5417US
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 200V 3A D5B
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.5V @ 9A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    200V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D-5B
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    150ns
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    E-MELF
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    7 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount D-5B
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1µA @ 200V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    3A
  • Pojemność @ VR F
    -
1N5418

1N5418

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5416

1N5416

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5415

1N5415

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
1N5416US

1N5416US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5418C.TR

1N5418C.TR

Opis: DIODE GEN PURP 400V 4.5A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5417TR

1N5417TR

Opis: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5415US

1N5415US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5419

1N5419

Opis: DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
1N5418-TAP

1N5418-TAP

Opis: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5417-TAP

1N5417-TAP

Opis: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5408RLG

1N5408RLG

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
1N5420

1N5420

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5418TR

1N5418TR

Opis: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5417

1N5417

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5408TA

1N5408TA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
1N5417C.TR

1N5417C.TR

Opis: DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5419

1N5419

Opis: DIODE GEN PURP 500V 4.5A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5418US

1N5418US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5419US

1N5419US

Opis: DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5419E3

1N5419E3

Opis: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść