Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N5419E3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4785632Obraz 1N5419E3.Microsemi Corporation

1N5419E3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$6.72
10+
$6.00
25+
$5.40
100+
$4.92
250+
$4.44
500+
$3.984
1000+
$3.36
2500+
$3.192
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N5419E3
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Standard
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    3A
  • Napięcie - Podział
    -
  • Seria
    -
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    -
  • Polaryzacja
    B, Axial
  • Temperatura pracy - złącze
    250ns
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    1N5419E3
  • Rozszerzony opis
    Diode Standard 500V 3A Through Hole
  • Diode Configuration
    1µA @ 500V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1.5V @ 9A
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    500V
  • Pojemność @ VR F
    -65°C ~ 175°C
1N5518BUR-1

1N5518BUR-1

Opis: ZENER DIODE

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5420US

1N5420US

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5417TR

1N5417TR

Opis: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5419

1N5419

Opis: DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
1N5520BUR-1

1N5520BUR-1

Opis: ZENER DIODE

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5519BUR-1

1N5519BUR-1

Opis: ZENER DIODE

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5417US

1N5417US

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5418-TAP

1N5418-TAP

Opis: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5420

1N5420

Opis: DIODE GEN PURP 600V 4.5A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5419

1N5419

Opis: DIODE GEN PURP 500V 4.5A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5418C.TR

1N5418C.TR

Opis: DIODE GEN PURP 400V 4.5A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5519B (DO35)

1N5519B (DO35)

Opis: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5418

1N5418

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5520B (DO35)

1N5520B (DO35)

Opis: DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5418US

1N5418US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5419US

1N5419US

Opis: DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5518B (DO35)

1N5518B (DO35)

Opis: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5420

1N5420

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5418TR

1N5418TR

Opis: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5417C.TR

1N5417C.TR

Opis: DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść