Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > RF 1BV1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6724044Obraz RF 1BV1.Sanken Electric Co., Ltd.

RF 1BV1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RF 1BV1
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 800V 600MA AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    2V @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    800V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    -
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    400ns
  • Opakowania
    Tape & Box (TB)
  • Package / Case
    Axial
  • Inne nazwy
    RF 1BV1 DK
    RF 1BV1-ND
    RF 1BV1TB
    RF 1BV1TB-ND
    RF 1BV1TR
    RF 1BV1TR-ND
    RF1BV1TB
  • Temperatura pracy - złącze
    -40°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 800V 600mA Through Hole
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    10µA @ 800V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    600mA
  • Pojemność @ VR F
    -
ES2DHM4G

ES2DHM4G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S4PJ-M3/87A

S4PJ-M3/87A

Opis: DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
JANTXV1N6073

JANTXV1N6073

Opis: DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RF 1AV1

RF 1AV1

Opis: DIODE GEN PURP 600V 600MA AXIAL

Producenci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na stanie
RF 1B

RF 1B

Opis: DIODE GEN PURP 800V 600MA AXIAL

Producenci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na stanie
RS2GA-13

RS2GA-13

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1.5A SMA

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
VS-6EVL06HM3/I

VS-6EVL06HM3/I

Opis: DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
GDP06S060D

GDP06S060D

Opis: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO263-2

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
VS-31DQ09

VS-31DQ09

Opis: DIODE SCHOTTKY 90V 3.3A C16

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
S4G V6G

S4G V6G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 4A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RF 1A

RF 1A

Opis: DIODE GEN PURP 600V 600MA AXIAL

Producenci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na stanie
1N4002GPE-M3/73

1N4002GPE-M3/73

Opis: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
MURS160HE3_A/I

MURS160HE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
R9G21411ASOO

R9G21411ASOO

Opis: DIODE FAST REC R9G 1100A 1400V

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RF 1BV

RF 1BV

Opis: DIODE GEN PURP 800V 600MA AXIAL

Producenci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na stanie
VS-80SQ040TR

VS-80SQ040TR

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO204AR

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RF 1AV

RF 1AV

Opis: DIODE GEN PURP 600V 600MA AXIAL

Producenci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na stanie
VS-CPU6006LHN3

VS-CPU6006LHN3

Opis: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
R6011430XXYA

R6011430XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
DSI30-12AS

DSI30-12AS

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263

Producenci: IXYS
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść