Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > S4G V6G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5337676Obraz S4G V6G.TSC (Taiwan Semiconductor)

S4G V6G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
6000+
$0.107
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    S4G V6G
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 400V 4A DO214AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    400V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-214AB (SMC)
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    1.5µs
  • Package / Case
    DO-214AB, SMC
  • Inne nazwy
    S4G V6G-ND
    S4GV6G
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    6 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 400V 4A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    100µA @ 400V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    4A
  • Pojemność @ VR F
    60pF @ 4V, 1MHz
S4G R7G

S4G R7G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 4A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S4G M6G

S4G M6G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 4A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
B2100-13-F

B2100-13-F

Opis: DIODE SCHOTTKY 100V 2A SMB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
JANTXV1N5415US

JANTXV1N5415US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
19TQ015

19TQ015

Opis: DIODE SCHOTTKY 15V 19A TO220AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
VS-1N3893

VS-1N3893

Opis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ESH2PDHM3/85A

ESH2PDHM3/85A

Opis: DIODE GEN PURP 200V 2A DO220AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFN1LAM7STR

RFN1LAM7STR

Opis: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
B560CQ-13-F

B560CQ-13-F

Opis: DIODE SCHOTTKY 60V 5A SMC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
MURS210T3

MURS210T3

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A SMB

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
S4G V7G

S4G V7G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 4A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
BA159GP-E3/54

BA159GP-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ISOPAC0612

ISOPAC0612

Opis: DIODE GEN PURP 600V 15A

Producenci: Semtech Corporation
Na stanie
DTV56F-E3/45

DTV56F-E3/45

Opis: DIODE GEN PURP 1.5KV 10A ITO220

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
S1AHE3/5AT

S1AHE3/5AT

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
6A08B-G

6A08B-G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 6A R6

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
GPP60AHE3/54

GPP60AHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A P600

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
VS-2EJH01HM3/6A

VS-2EJH01HM3/6A

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
UH1D-E3/5AT

UH1D-E3/5AT

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N4936 BK

1N4936 BK

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść