Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > RF 1AV1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4469286

RF 1AV1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
6000+
$0.241
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RF 1AV1
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 600MA AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    2V @ 600mA
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    -
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    400ns
  • Opakowania
    Tape & Box (TB)
  • Package / Case
    Axial
  • Inne nazwy
    RF 1AV1 DK
    RF 1AV1-ND
    RF1AV1
  • Temperatura pracy - złącze
    -40°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 600V 600mA Through Hole
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    10µA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    600mA
  • Pojemność @ VR F
    -
FR6BR02

FR6BR02

Opis: DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
BAT42-L0 A0G

BAT42-L0 A0G

Opis: DIODE SCHOTTKY DO-35

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RF505TF6S

RF505TF6S

Opis: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220NFM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RF 1AV

RF 1AV

Opis: DIODE GEN PURP 600V 600MA AXIAL

Producenci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na stanie
SE15PG-E3/85A

SE15PG-E3/85A

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO220AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
CDBA140-HF

CDBA140-HF

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
RF 1BV1

RF 1BV1

Opis: DIODE GEN PURP 800V 600MA AXIAL

Producenci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na stanie
MBR1050 C0G

MBR1050 C0G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 10A TO220AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
SR505 R0G

SR505 R0G

Opis: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
1N8035-GA

1N8035-GA

Opis: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
GP10AHM3/54

GP10AHM3/54

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
VS-ETH3007T-N3

VS-ETH3007T-N3

Opis: DIODE GEN PURP 650V 30A TO220AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RF 1B

RF 1B

Opis: DIODE GEN PURP 800V 600MA AXIAL

Producenci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na stanie
ES1CL R3G

ES1CL R3G

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
BAS286-GS08

BAS286-GS08

Opis: DIODE SCHOTTKY 50V 200MA SOD80

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
U8CT-E3/4W

U8CT-E3/4W

Opis: DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
CD214B-F3200

CD214B-F3200

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Producenci: Bourns, Inc.
Na stanie
AS1PBHM3/84A

AS1PBHM3/84A

Opis: DIODE AVALANCHE 100V 1.5A DO220

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RF 1BV

RF 1BV

Opis: DIODE GEN PURP 800V 600MA AXIAL

Producenci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na stanie
RF 1A

RF 1A

Opis: DIODE GEN PURP 600V 600MA AXIAL

Producenci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść