Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - JFET > DSK5J01Q0L
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2888818Obraz DSK5J01Q0L.Panasonic

DSK5J01Q0L

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.222
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DSK5J01Q0L
  • Producent / marka
    Panasonic
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DSK5J01Q0L.pdf
  • Napięcie - Odcięcie (VGS off) @ Id
    5V @ 10µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SMini3-F2-B
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    150mW
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SC-85
  • Inne nazwy
    DSK5J01Q0LTR
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    11 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    6pF @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    55V
  • szczegółowy opis
    JFET N-Channel 30mA 150mW Surface Mount SMini3-F2-B
  • Pobór prądu (Id) - Max
    30mA
  • Obecny - spustowy (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
    2mA @ 10V
  • Podstawowy numer części
    DSK5J01

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DSK5J01Q0L”.
2N4416

2N4416

Opis: JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
DSK-3R3H703T414-HRL

DSK-3R3H703T414-HRL

Opis: CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD

Producenci: Elna America
Na stanie
RFQ
DSK10E

DSK10E

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
DSK10E-AT1

DSK10E-AT1

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
DSK10B

DSK10B

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
DSK10C-ET1

DSK10C-ET1

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
DSK10B-AT1

DSK10B-AT1

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
DSK10C-AT1

DSK10C-AT1

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
DSK-3R3H703T414-HLL

DSK-3R3H703T414-HLL

Opis: CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD

Producenci: Elna America
Na stanie
RFQ
DSK-3R3H224U-HL

DSK-3R3H224U-HL

Opis: CAP 220MF -20% +80% 3.3V SMD

Producenci: Elna America
Na stanie
RFQ
DSK10B-BT

DSK10B-BT

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
DSK-3R3H334T-HL

DSK-3R3H334T-HL

Opis: CAP 330MF -20% +80% 3.3V SMD

Producenci: Elna America
Na stanie
RFQ
DSK10E-BT

DSK10E-BT

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
DSK5J01P0L

DSK5J01P0L

Opis: JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
2SK880-BL(TE85L,F)

2SK880-BL(TE85L,F)

Opis: JFET N-CH 50V 0.1W USM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DSK10E-ET1

DSK10E-ET1

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
DSK-3R3H204T614-H2L

DSK-3R3H204T614-H2L

Opis: CAP 200MF -20% +80% 3.3V SMD

Producenci: Elna America
Na stanie
RFQ
DSK9J01P0L

DSK9J01P0L

Opis: JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI3

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
DSK10C

DSK10C

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
DSK10C-BT

DSK10C-BT

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.