Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > DSK10E-AT1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2831545Obraz DSK10E-AT1.ON Semiconductor

DSK10E-AT1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DSK10E-AT1
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Standard
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1A
  • Napięcie - Podział
    -
  • Seria
    -
  • Stan RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    -
  • Polaryzacja
    R-1 (Axial)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    DSK10E-AT1
  • Rozszerzony opis
    Diode Standard 400V 1A Through Hole
  • Diode Configuration
    10µA @ 400V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1.1V @ 1A
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    400V
  • Pojemność @ VR F
    150°C (Max)
DSK10C-AT1

DSK10C-AT1

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
DSK-3R3H224U-HL

DSK-3R3H224U-HL

Opis: CAP 220MF -20% +80% 3.3V SMD

Producenci: Elna America
Na stanie
DSK10E

DSK10E

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
DSK10B

DSK10B

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
DSK-3R3H703T414-HRL

DSK-3R3H703T414-HRL

Opis: CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD

Producenci: Elna America
Na stanie
HSM190G/TR13

HSM190G/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 90V 1A DO215AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
DSK10C-ET1

DSK10C-ET1

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
DSK10C

DSK10C

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
GKR71/14

GKR71/14

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 95A DO5

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
DSK10C-BT

DSK10C-BT

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
DSK-3R3H334T-HL

DSK-3R3H334T-HL

Opis: CAP 330MF -20% +80% 3.3V SMD

Producenci: Elna America
Na stanie
DSK10E-ET1

DSK10E-ET1

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
DSK10B-AT1

DSK10B-AT1

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
DSK5J01P0L

DSK5J01P0L

Opis: JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B

Producenci: Panasonic
Na stanie
DSK-3R3H703T414-HLL

DSK-3R3H703T414-HLL

Opis: CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD

Producenci: Elna America
Na stanie
DSK-3R3H204T614-H2L

DSK-3R3H204T614-H2L

Opis: CAP 200MF -20% +80% 3.3V SMD

Producenci: Elna America
Na stanie
DSK9J01P0L

DSK9J01P0L

Opis: JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI3

Producenci: Panasonic
Na stanie
DSK10B-BT

DSK10B-BT

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
DSK10E-BT

DSK10E-BT

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
DSK5J01Q0L

DSK5J01Q0L

Opis: JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B

Producenci: Panasonic
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść