Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > JANTX1N5613
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6756269Obraz JANTX1N5613.Microsemi

JANTX1N5613

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$175.45
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JANTX1N5613
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 175V 265V G AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    JANTX1N5613.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    175V
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    265V
  • Napięcie - podziały (min)
    191V
  • Kanały jednokierunkowe
    1
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    G, Axial
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/434
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    G, Axial
  • Inne nazwy
    1086-15417
    1086-15417-MIL
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    5.7A
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Aplikacje
    General Purpose

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „JANTX1N5613”.
JANTX1N5615

JANTX1N5615

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N5614

JANTX1N5614

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JANTX1N5612

JANTX1N5612

Opis: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N5556

JANTX1N5556

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N5617

JANTX1N5617

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N5554

JANTX1N5554

Opis: D MET 3A STD 1KV HR

Producenci: Semtech
Na stanie
RFQ
JANTX1N5554US

JANTX1N5554US

Opis: D MET 3A STD 1KV HR SM

Producenci: Semtech
Na stanie
RFQ
JANTX1N5619

JANTX1N5619

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N5555

JANTX1N5555

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N5557

JANTX1N5557

Opis: TVS DIODE 49V 78.5V DO202AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N5618

JANTX1N5618

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N5616

JANTX1N5616

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JANTX1N5616US

JANTX1N5616US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N5554

JANTX1N5554

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N5614US

JANTX1N5614US

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N5611

JANTX1N5611

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N5558

JANTX1N5558

Opis: TVS DIODE 175V 265V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N5618US

JANTX1N5618US

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N5610

JANTX1N5610

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N5617US

JANTX1N5617US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.