Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > JANTX1N5617US
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4045544Obraz JANTX1N5617US.Microsemi

JANTX1N5617US

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$13.67
10+
$12.43
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JANTX1N5617US
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 400V 1A D5A
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    JANTX1N5617US.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.6V @ 3A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    400V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D-5A
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    150ns
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SQ-MELF, A
  • Inne nazwy
    1086-15418
    1086-15418-MIL
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount D-5A
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    500µA @ 400V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    35pF @ 12V, 1MHz

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „JANTX1N5617US”.
JANTX1N5618

JANTX1N5618

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N5615

JANTX1N5615

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N5614

JANTX1N5614

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JANTX1N5619US

JANTX1N5619US

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N5616

JANTX1N5616

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JANTX1N5611

JANTX1N5611

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N5618US

JANTX1N5618US

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N5617

JANTX1N5617

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N5622

JANTX1N5622

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N5619

JANTX1N5619

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N5620

JANTX1N5620

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N5614US

JANTX1N5614US

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N5612

JANTX1N5612

Opis: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N5620US

JANTX1N5620US

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N5613

JANTX1N5613

Opis: TVS DIODE 175V 265V G AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N5616US

JANTX1N5616US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N5621

JANTX1N5621

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N5610

JANTX1N5610

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N5621US

JANTX1N5621US

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N5622US

JANTX1N5622US

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.