Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > JAN1N6134US
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4553697

JAN1N6134US

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$17.447
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N6134US
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 114V 216.62V B SQ-MELF
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    114V
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    216.62V
  • Napięcie - podziały (min)
    135.38V
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    B, SQ-MELF
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    500W
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SQ-MELF, B
  • Inne nazwy
    1086-19538
    1086-19538-MIL
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    2.28A
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    1
  • Aplikacje
    General Purpose
JAN1N6133US

JAN1N6133US

Opis: TVS DIODE 98.8V 187.74V SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6136US

JAN1N6136US

Opis: TVS DIODE 136.8V 257.99V SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6135US

JAN1N6135US

Opis: TVS DIODE 121.6V 229.32V SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6134

JAN1N6134

Opis: TVS DIODE 114V 216.62V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6135A

JAN1N6135A

Opis: TVS DIODE 121.6VWM BPKG AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6134AUS

JAN1N6134AUS

Opis: TVS DIODE 114V 206.3V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6133A

JAN1N6133A

Opis: TVS DIODE 98.8VWM BPKG AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6137

JAN1N6137

Opis: TVS DIODE 152V 286.65V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6136AUS

JAN1N6136AUS

Opis: TVS DIODE 136.8V 245.7V SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6136

JAN1N6136

Opis: TVS DIODE 136.8V 257.99V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6137A

JAN1N6137A

Opis: TVS DIODE 152VWM 273VC BPKG AXL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6135

JAN1N6135

Opis: TVS DIODE 121.6V 229.32V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6136A

JAN1N6136A

Opis: TVS DIODE 136.8VWM BPKG AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6133AUS

JAN1N6133AUS

Opis: TVS DIODE 98.8V 178.8V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6135AUS

JAN1N6135AUS

Opis: TVS DIODE 121.6V 218.4V SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6132US

JAN1N6132US

Opis: TVS DIODE 91.2V 173.36V SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6133

JAN1N6133

Opis: TVS DIODE 98.8V 187.74V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6132A

JAN1N6132A

Opis: TVS DIODE 91.2VWM BPKG AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6134A

JAN1N6134A

Opis: TVS DIODE 114VWM BPKG AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6132AUS

JAN1N6132AUS

Opis: TVS DIODE 91.2V 165.1V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść