Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > JAN1N6132A
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6181031

JAN1N6132A

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N6132A
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 91.2VWM BPKG AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    114V
  • Napięcie - Breakover
    1
  • Napięcie - podziały (min)
    91.2V
  • Napięcie - Podział
    Axial
  • Rodzaj
    Zener
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Ripple Current - niska częstotliwość
    General Purpose
  • Ochrona linii zasilających
    500W
  • Moc - Peak Pulse
    3A
  • Polaryzacja
    B, Axial
  • Inne nazwy
    1086-2219
    1086-2219-MIL
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    JAN1N6132A
  • Opis
    TVS DIODE 91.2VWM BPKG AXIAL
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    165.1V
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    No
JAN1N6130

JAN1N6130

Opis: TVS DIODE 76V 144.48V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6134US

JAN1N6134US

Opis: TVS DIODE 114V 216.62V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6130A

JAN1N6130A

Opis: TVS DIODE 76VWM BPKG AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6131AUS

JAN1N6131AUS

Opis: TVS DIODE 86.6V 151.3V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6130US

JAN1N6130US

Opis: TVS DIODE 76V 144.48V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6133

JAN1N6133

Opis: TVS DIODE 98.8V 187.74V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6129US

JAN1N6129US

Opis: TVS DIODE 69.2V 131.36V SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6133AUS

JAN1N6133AUS

Opis: TVS DIODE 98.8V 178.8V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6132

JAN1N6132

Opis: TVS DIODE 91.2V 173.36V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6131US

JAN1N6131US

Opis: TVS DIODE 86.6V 158.87V SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6133A

JAN1N6133A

Opis: TVS DIODE 98.8VWM BPKG AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6132AUS

JAN1N6132AUS

Opis: TVS DIODE 91.2V 165.1V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6134AUS

JAN1N6134AUS

Opis: TVS DIODE 114V 206.3V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6134

JAN1N6134

Opis: TVS DIODE 114V 216.62V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6131A

JAN1N6131A

Opis: TVS DIODE 86.6VWM BPKG AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6130AUS

JAN1N6130AUS

Opis: TVS DIODE 76V 137.6V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6131

JAN1N6131

Opis: TVS DIODE 86.6V 158.87V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6133US

JAN1N6133US

Opis: TVS DIODE 98.8V 187.74V SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6134A

JAN1N6134A

Opis: TVS DIODE 114VWM BPKG AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6132US

JAN1N6132US

Opis: TVS DIODE 91.2V 173.36V SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść