Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > JAN1N6104AUS
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5888355

JAN1N6104AUS

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$17.447
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N6104AUS
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 6.2V 12.1V B SQ-MELF
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    6.2V
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    12.1V
  • Napięcie - podziały (min)
    7.79V
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    B, SQ-MELF
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    500W
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SQ-MELF, B
  • Inne nazwy
    1086-2135
    1086-2135-MIL
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    18 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    41.3A
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    1
  • Aplikacje
    General Purpose
JAN1N6103US

JAN1N6103US

Opis: TVS DIODE 5.7V 11.76V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6106A

JAN1N6106A

Opis: TVS DIODE 7.6V 14.5V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6078

JAN1N6078

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6104US

JAN1N6104US

Opis: TVS DIODE 6.2V 12.71V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6103

JAN1N6103

Opis: TVS DIODE 5.7V 11.76V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6103AUS

JAN1N6103AUS

Opis: TVS DIODE 5.7V 11.2V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6101

JAN1N6101

Opis: TVS DIODE 16CDIP

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6106

JAN1N6106

Opis: TVS DIODE 7.6V 15.23V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6081

JAN1N6081

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6104A

JAN1N6104A

Opis: TVS DIODE 6.2V 12.1V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6105

JAN1N6105

Opis: TVS DIODE 6.9V 14.07V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6107

JAN1N6107

Opis: TVS DIODE 8.4V 16.38V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6106AUS

JAN1N6106AUS

Opis: TVS DIODE 7.6V 14.5V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6100

JAN1N6100

Opis: TVS DIODE 14CFLATPACK

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6103A

JAN1N6103A

Opis: TVS DIODE 5.7V 11.2V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6105US

JAN1N6105US

Opis: TVS DIODE 6.9V 14.07V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6106US

JAN1N6106US

Opis: TVS DIODE 7.6V 15.23V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6105AUS

JAN1N6105AUS

Opis: TVS DIODE 6.9VWM 13.4VC SQMELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6104

JAN1N6104

Opis: TVS DIODE 6.2V 12.71V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6105A

JAN1N6105A

Opis: TVS DIODE 6.9V 13.4V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść