Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > JAN1N6101
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2728041

JAN1N6101

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N6101
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 16CDIP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    8
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    -
  • Napięcie - podziały (min)
    -
  • Napięcie - Podział
    16-CDIP
  • Rodzaj
    Steering (Rail to Rail)
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/474
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Ripple Current - niska częstotliwość
    Ethernet
  • Ochrona linii zasilających
    -
  • Moc - Peak Pulse
    -
  • Polaryzacja
    16-CDIP (0.300", 7.62mm)
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    JAN1N6101
  • Opis
    TVS DIODE 16CDIP
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    -
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    No
JAN1N6105A

JAN1N6105A

Opis: TVS DIODE 6.9V 13.4V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6105

JAN1N6105

Opis: TVS DIODE 6.9V 14.07V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6081

JAN1N6081

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6077

JAN1N6077

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6074

JAN1N6074

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6069A

JAN1N6069A

Opis: TVS DIODE 150V 261V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6104US

JAN1N6104US

Opis: TVS DIODE 6.2V 12.71V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6103US

JAN1N6103US

Opis: TVS DIODE 5.7V 11.76V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6104A

JAN1N6104A

Opis: TVS DIODE 6.2V 12.1V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6104

JAN1N6104

Opis: TVS DIODE 6.2V 12.71V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6100

JAN1N6100

Opis: TVS DIODE 14CFLATPACK

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6103AUS

JAN1N6103AUS

Opis: TVS DIODE 5.7V 11.2V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6073

JAN1N6073

Opis: DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6104AUS

JAN1N6104AUS

Opis: TVS DIODE 6.2V 12.1V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6075

JAN1N6075

Opis: DIODE GEN PURP 150V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6072A

JAN1N6072A

Opis: TVS DIODE 185V 328V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6103A

JAN1N6103A

Opis: TVS DIODE 5.7V 11.2V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6076

JAN1N6076

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6078

JAN1N6078

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6103

JAN1N6103

Opis: TVS DIODE 5.7V 11.76V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść