Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > JAN1N6077
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2398322

JAN1N6077

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$21.273
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N6077
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.76V @ 18.8A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    100V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    E-PAK
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/503
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    30ns
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    E, Axial
  • Inne nazwy
    1086-19453
    1086-19453-MIL
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 155°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 100V 1.3A Through Hole E-PAK
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 100V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1.3A
  • Pojemność @ VR F
    -
JAN1N6053A

JAN1N6053A

Opis: TVS DIODE 33V 53.9V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6072A

JAN1N6072A

Opis: TVS DIODE 185V 328V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6061A

JAN1N6061A

Opis: TVS DIODE 70V 113V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6103US

JAN1N6103US

Opis: TVS DIODE 5.7V 11.76V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6075

JAN1N6075

Opis: DIODE GEN PURP 150V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6074

JAN1N6074

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6103A

JAN1N6103A

Opis: TVS DIODE 5.7V 11.2V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6103

JAN1N6103

Opis: TVS DIODE 5.7V 11.76V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6100

JAN1N6100

Opis: TVS DIODE 14CFLATPACK

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6055A

JAN1N6055A

Opis: TVS DIODE 40V 64.8V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6073

JAN1N6073

Opis: DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6103AUS

JAN1N6103AUS

Opis: TVS DIODE 5.7V 11.2V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6104

JAN1N6104

Opis: TVS DIODE 6.2V 12.71V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6057A

JAN1N6057A

Opis: TVS DIODE 47V 77V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6076

JAN1N6076

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6069A

JAN1N6069A

Opis: TVS DIODE 150V 261V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6081

JAN1N6081

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6101

JAN1N6101

Opis: TVS DIODE 16CDIP

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6078

JAN1N6078

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6104A

JAN1N6104A

Opis: TVS DIODE 6.2V 12.1V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść