Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > JAN1N5553
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4570120

JAN1N5553

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
103+
$9.971
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N5553
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    JAN1N5553.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.3V @ 9A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    800V
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/420
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    2µs
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    B, Axial
  • Inne nazwy
    1086-2099
    1086-2099-MIL
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 800V 3A Through Hole
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1µA @ 800V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    3A
  • Pojemność @ VR F
    -

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „JAN1N5553”.
JAN1N5552

JAN1N5552

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5553US

JAN1N5553US

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5546C-1

JAN1N5546C-1

Opis: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5551

JAN1N5551

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5554

JAN1N5554

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5546DUR-1

JAN1N5546DUR-1

Opis: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5612

JAN1N5612

Opis: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5555

JAN1N5555

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5610

JAN1N5610

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5556

JAN1N5556

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5550US

JAN1N5550US

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N5551US

JAN1N5551US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5546D-1

JAN1N5546D-1

Opis: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5552US

JAN1N5552US

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N5611

JAN1N5611

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5614

JAN1N5614

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5550

JAN1N5550

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5558

JAN1N5558

Opis: TVS DIODE 175V 265V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5554US

JAN1N5554US

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5546CUR-1

JAN1N5546CUR-1

Opis: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.