Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > JAN1N5550US
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3922908

JAN1N5550US

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$13.707
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N5550US
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    JAN1N5550US.pdf
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Standard
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    3A
  • Napięcie - Podział
    D-5B
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/420
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    -
  • Polaryzacja
    SQ-MELF, B
  • Inne nazwy
    1086-19411
    1086-19411-MIL
  • Temperatura pracy - złącze
    2µs
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • Numer części producenta
    JAN1N5550US
  • Rozszerzony opis
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount D-5B
  • Diode Configuration
    1µA @ 200V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1.2V @ 9A
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    200V
  • Pojemność @ VR F
    -65°C ~ 175°C

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „JAN1N5550US”.
JAN1N5546DUR-1

JAN1N5546DUR-1

Opis: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5555

JAN1N5555

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5552US

JAN1N5552US

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N5546C-1

JAN1N5546C-1

Opis: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5545D-1

JAN1N5545D-1

Opis: DIODE ZENER 30V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5546D-1

JAN1N5546D-1

Opis: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5554US

JAN1N5554US

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5552

JAN1N5552

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5551

JAN1N5551

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5553

JAN1N5553

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5550

JAN1N5550

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5545CUR-1

JAN1N5545CUR-1

Opis: DIODE ZENER 30V 500MW DO213AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5546CUR-1

JAN1N5546CUR-1

Opis: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5556

JAN1N5556

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5545DUR-1

JAN1N5545DUR-1

Opis: DIODE ZENER 30V 500MW DO213AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5551US

JAN1N5551US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5553US

JAN1N5553US

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5546BUR-1

JAN1N5546BUR-1

Opis: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N5554

JAN1N5554

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5546B-1

JAN1N5546B-1

Opis: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.