Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody - Zener - Pojedynczy > JAN1N5518BUR-1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
120857Obraz JAN1N5518BUR-1.Microsemi Corporation

JAN1N5518BUR-1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$16.101
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N5518BUR-1
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    JAN1N5518BUR-1.pdf
  • Model ECAD
  • Napięcie - Izolacja
    26 Ohm
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/437
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Moc - Max
    500mW
  • Polaryzacja
    DO-213AA (Glass)
  • Inne nazwy
    1086-18930
    1086-18930-MIL
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    14 Weeks
  • Numer części producenta
    JAN1N5518BUR-1
  • Impedancja (Max) (Zzt)
    3.3V
  • Rozszerzony opis
    Zener Diode 500mW ±5% Surface Mount
  • ESR (Equivalent Series Resistance)
    ±5%
  • Diode Configuration
    5µA @ 1V
  • Opis
    DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1.1V @ 200mA

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „JAN1N5518BUR-1”.
JAN1N5518DUR-1

JAN1N5518DUR-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5518CUR-1

JAN1N5518CUR-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5518C-1

JAN1N5518C-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5418

JAN1N5418

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5420

JAN1N5420

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5420US

JAN1N5420US

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5416US

JAN1N5416US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5518D-1

JAN1N5518D-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5417US

JAN1N5417US

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5419US

JAN1N5419US

Opis: DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5519DUR-1

JAN1N5519DUR-1

Opis: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO213AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5519C-1

JAN1N5519C-1

Opis: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5519D-1

JAN1N5519D-1

Opis: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5417

JAN1N5417

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5519BUR-1

JAN1N5519BUR-1

Opis: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO213AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N5419

JAN1N5419

Opis: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5418US

JAN1N5418US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5519B-1

JAN1N5519B-1

Opis: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5518B-1

JAN1N5518B-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5519CUR-1

JAN1N5519CUR-1

Opis: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO213AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.