Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > JAN1N5417US
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
541267

JAN1N5417US

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$13.24
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N5417US
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    JAN1N5417US.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.5V @ 9A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    200V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    B, SQ-MELF
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/411
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    150ns
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SQ-MELF, B
  • Inne nazwy
    1086-2089
    1086-2089-MIL
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1µA @ 200V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    3A
  • Pojemność @ VR F
    -

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „JAN1N5417US”.
JAN1N5314-1

JAN1N5314-1

Opis: DIODE CURRENT REG 100V

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5312UR-1

JAN1N5312UR-1

Opis: DIODE CURRENT REG 100V

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5416US

JAN1N5416US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5417

JAN1N5417

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5313UR-1

JAN1N5313UR-1

Opis: DIODE CURRENT REG 100V

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5420US

JAN1N5420US

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5415

JAN1N5415

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5518B-1

JAN1N5518B-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5418

JAN1N5418

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5313-1

JAN1N5313-1

Opis: DIODE CURRENT REG 100V

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5518CUR-1

JAN1N5518CUR-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5416

JAN1N5416

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5415US

JAN1N5415US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5418US

JAN1N5418US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5420

JAN1N5420

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5314UR-1

JAN1N5314UR-1

Opis: DIODE CURRENT REG 100V

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5419

JAN1N5419

Opis: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5419US

JAN1N5419US

Opis: DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5518BUR-1

JAN1N5518BUR-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N5518C-1

JAN1N5518C-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.