Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT45M100J
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5642519Obraz APT45M100J.Microsemi

APT45M100J

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT45M100J
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.APT45M100J.pdf
    2.APT45M100J.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-227
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    180 mOhm @ 33A, 10V
  • Strata mocy (max)
    960W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Inne nazwy
    APT45M100JMI
    APT45M100JMI-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    18500pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    570nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1000V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 1000V 45A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    45A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT45M100J”.
APT44GA60BD30C

APT44GA60BD30C

Opis: IGBT 600V 78A 337W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT48M80B2

APT48M80B2

Opis: MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT47N65SCS3G

APT47N65SCS3G

Opis: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT47N60BC3G

APT47N60BC3G

Opis: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT45GR65B

APT45GR65B

Opis: IGBT 650V 92A 357W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

Opis: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT47F60J

APT47F60J

Opis: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT44GA60BD30

APT44GA60BD30

Opis: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT48M80L

APT48M80L

Opis: MOSFET N-CH 800V 48A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT45GP120J

APT45GP120J

Opis: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT47N60SC3G

APT47N60SC3G

Opis: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT47N65BC3G

APT47N65BC3G

Opis: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT46GA90JD40

APT46GA90JD40

Opis: IGBT 900V 87A 284W SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT45GP120BG

APT45GP120BG

Opis: IGBT 1200V 100A 625W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

Opis: IGBT 1200V 113A 625W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT47GA60JD40

APT47GA60JD40

Opis: IGBT 600V 87A 283W SOT-227

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
APT47M60J

APT47M60J

Opis: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.