Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > APT45GR65SSCD10
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
62443

APT45GR65SSCD10

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT45GR65SSCD10
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    650V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    2.4V @ 15V, 45A
  • Stan testu
    433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    15ns/100ns
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D3Pak
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    80ns
  • Moc - Max
    543W
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    NPT
  • brama Charge
    203nC
  • szczegółowy opis
    IGBT NPT 650V 118A 543W Surface Mount D3Pak
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    224A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    118A
APT45GP120J

APT45GP120J

Opis: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT47N60BC3G

APT47N60BC3G

Opis: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT47N60SC3G

APT47N60SC3G

Opis: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

Opis: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT47M60J

APT47M60J

Opis: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT47N65SCS3G

APT47N65SCS3G

Opis: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT44GA60B

APT44GA60B

Opis: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT44GA60BD30C

APT44GA60BD30C

Opis: IGBT 600V 78A 337W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT45M100J

APT45M100J

Opis: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT44GA60BD30

APT44GA60BD30

Opis: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT48M80B2

APT48M80B2

Opis: MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT47F60J

APT47F60J

Opis: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT46GA90JD40

APT46GA90JD40

Opis: IGBT 900V 87A 284W SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT47N65BC3G

APT47N65BC3G

Opis: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

Opis: IGBT 1200V 113A 625W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT45GP120BG

APT45GP120BG

Opis: IGBT 1200V 100A 625W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT45GR65B

APT45GR65B

Opis: IGBT 650V 92A 357W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT47GA60JD40

APT47GA60JD40

Opis: IGBT 600V 87A 283W SOT-227

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść