Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT18F60S
Poproś o wycenę
polski
933637Obraz APT18F60S.Microsemi

APT18F60S

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT18F60S
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D3Pak
  • Seria
    POWER MOS 8™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    370 mOhm @ 9A, 10V
  • Strata mocy (max)
    335W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3550pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    90nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 19A (Tc) 335W (Tc) Surface Mount D3Pak
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    19A (Tc)
APT19F100J

APT19F100J

Opis: MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT17N80BC3G

APT17N80BC3G

Opis: MOSFET N-CH 800V 17A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT17F100S

APT17F100S

Opis: MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT17F100B

APT17F100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 17A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT200GN60JG

APT200GN60JG

Opis: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT17F80B

APT17F80B

Opis: MOSFET N-CH 800V 18A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT17F120J

APT17F120J

Opis: MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT18M80B

APT18M80B

Opis: MOSFET N-CH 800V 19A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT18M100B

APT18M100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT18F60B

APT18F60B

Opis: MOSFET N-CH 600V 18A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT200GN60JDQ4

APT200GN60JDQ4

Opis: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT1608ZGCK

APT1608ZGCK

Opis:

Producenci: Kingbright
Na stanie
APT17NTR-G1

APT17NTR-G1

Opis:

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
APT200GN60J

APT200GN60J

Opis: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT17F80S

APT17F80S

Opis: MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT19M120J

APT19M120J

Opis: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT200GN60JDQ4G

APT200GN60JDQ4G

Opis: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT17N80SC3G

APT17N80SC3G

Opis: MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT18M80S

APT18M80S

Opis: MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT200GN60B2G

APT200GN60B2G

Opis: IGBT 600V 283A 682W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść