Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - moduły > APT200GN60J
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1237887Obraz APT200GN60J.Microsemi

APT200GN60J

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$34.17
10+
$31.607
30+
$29.045
100+
$26.994
250+
$24.773
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT200GN60J
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 600V 283A 682W SOT227
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    1.85V @ 15V, 200A
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    ISOTOP®
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    682W
  • Package / Case
    ISOTOP
  • Inne nazwy
    APT200GN60JMI
    APT200GN60JMI-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Termistor NTC
    No
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    18 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce
    14.1nF @ 25V
  • Wkład
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    Trench Field Stop
  • szczegółowy opis
    IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP®
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    25µA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    283A
  • Konfiguracja
    Single
APT19F100J

APT19F100J

Opis: MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT19M120J

APT19M120J

Opis: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT18M80B

APT18M80B

Opis: MOSFET N-CH 800V 19A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT18F60B

APT18F60B

Opis: MOSFET N-CH 600V 18A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT2012LSECK/J4-PRV

APT2012LSECK/J4-PRV

Opis: LED ORANGE CLEAR 2SMD

Producenci: Kingbright
Na stanie
APT2012CGCK

APT2012CGCK

Opis: LED GREEN CLEAR CHIP SMD

Producenci: Kingbright
Na stanie
APT200GT60JR

APT200GT60JR

Opis: IGBT 600V 195A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT18F60S

APT18F60S

Opis: MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT2012LSYCK/J3-PRV

APT2012LSYCK/J3-PRV

Opis: LED YELLOW CLEAR 2SMD

Producenci: Kingbright
Na stanie
APT200GN60JG

APT200GN60JG

Opis: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT17N80SC3G

APT17N80SC3G

Opis: MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT2012LSECK/J3-PRV

APT2012LSECK/J3-PRV

Opis: LED RED CLEAR 2SMD

Producenci: Kingbright
Na stanie
APT200GN60JDQ4G

APT200GN60JDQ4G

Opis: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT18M100B

APT18M100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT2012EC

APT2012EC

Opis: LED RED CLEAR CHIP SMD

Producenci: Kingbright
Na stanie
APT17NTR-G1

APT17NTR-G1

Opis: TRANS NPN 480V SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
APT2012F3C

APT2012F3C

Opis: EMITTER IR 940NM 50MA 0805

Producenci: Kingbright
Na stanie
APT18M80S

APT18M80S

Opis: MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT200GN60JDQ4

APT200GN60JDQ4

Opis: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT200GN60B2G

APT200GN60B2G

Opis: IGBT 600V 283A 682W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść