Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT17N80BC3G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2653601Obraz APT17N80BC3G.Microsemi

APT17N80BC3G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT17N80BC3G
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.9V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247-3
  • Seria
    CoolMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    290 mOhm @ 11A, 10V
  • Strata mocy (max)
    208W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2250pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    90nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    800V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 800V 17A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    17A (Tc)
APT17N80SC3G

APT17N80SC3G

Opis: MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT17NTR-G1

APT17NTR-G1

Opis: TRANS NPN 480V SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
APT19M120J

APT19M120J

Opis: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT1608ZGCK

APT1608ZGCK

Opis: LED GREEN CLEAR CHIP SMD

Producenci: Kingbright
Na stanie
APT19F100J

APT19F100J

Opis: MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT18F60B

APT18F60B

Opis: MOSFET N-CH 600V 18A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT17F100B

APT17F100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 17A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT17F120J

APT17F120J

Opis: MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT18M80S

APT18M80S

Opis: MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT17F80S

APT17F80S

Opis: MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT1608YC

APT1608YC

Opis: LED YELLOW CLEAR CHIP SMD

Producenci: Kingbright
Na stanie
APT1608VBC/D

APT1608VBC/D

Opis: LED BLUE CLEAR CHIP SMD

Producenci: Kingbright
Na stanie
APT17F80B

APT17F80B

Opis: MOSFET N-CH 800V 18A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT18F60S

APT18F60S

Opis: MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT17F100S

APT17F100S

Opis: MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT18M80B

APT18M80B

Opis: MOSFET N-CH 800V 19A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT200GN60B2G

APT200GN60B2G

Opis: IGBT 600V 283A 682W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT1608VRCXF/A-5MAV

APT1608VRCXF/A-5MAV

Opis: LED CYAN DIFFUSED CHIP SMD

Producenci: Kingbright
Na stanie
APT1608ZGC

APT1608ZGC

Opis: LED GREEN CLEAR CHIP SMD

Producenci: Kingbright
Na stanie
APT18M100B

APT18M100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść