Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > APT11GF120KRG
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5169524

APT11GF120KRG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT11GF120KRG
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 1200V 25A 156W TO220
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.APT11GF120KRG.pdf
    2.APT11GF120KRG.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    3V @ 15V, 8A
  • Stan testu
    800V, 8A, 10 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    7ns/100ns
  • Przełączanie Energy
    300µJ (on), 285µJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220 [K]
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    156W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    NPT
  • brama Charge
    65nC
  • szczegółowy opis
    IGBT NPT 1200V 25A 156W Through Hole TO-220 [K]
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    44A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    25A

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT11GF120KRG”.
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Opis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Opis: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Opis: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

Opis: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Opis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT12057JLL

APT12057JLL

Opis: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT12057B2LLG

APT12057B2LLG

Opis: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT12031JFLL

APT12031JFLL

Opis: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

Opis: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT11F80B

APT11F80B

Opis: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT12057B2FLLG

APT12057B2FLLG

Opis: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
APT1201R4BFLLG

APT1201R4BFLLG

Opis: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT1204R7KFLLG

APT1204R7KFLLG

Opis: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT1204R7BFLLG

APT1204R7BFLLG

Opis: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT11F80S

APT11F80S

Opis: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Opis: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Opis: IGBT 600V 41A 187W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.