Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT12031JFLL
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
471086Obraz APT12031JFLL.Microsemi

APT12031JFLL

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT12031JFLL
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 5mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    ISOTOP®
  • Seria
    POWER MOS 7®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    330 mOhm @ 15A, 10V
  • Strata mocy (max)
    690AW (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    9480pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    365nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1200V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 1200V 30A (Tc) 690AW (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Opis: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT11F80B

APT11F80B

Opis: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT11F80S

APT11F80S

Opis: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT12057B2LLG

APT12057B2LLG

Opis: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT12067JLL

APT12067JLL

Opis: MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Opis: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT12057JLL

APT12057JLL

Opis: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT1201R4BFLLG

APT1201R4BFLLG

Opis: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT12067B2FLLG

APT12067B2FLLG

Opis: MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
APT12080JVR

APT12080JVR

Opis: MOSFET N-CH 1200V 15A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT1204R7KFLLG

APT1204R7KFLLG

Opis: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT12067B2LLG

APT12067B2LLG

Opis: MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Opis: IGBT 600V 41A 187W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Opis: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

Opis: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT12057LFLLG

APT12057LFLLG

Opis: MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

Opis: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT12057B2FLLG

APT12057B2FLLG

Opis: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
APT1204R7BFLLG

APT1204R7BFLLG

Opis: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Opis: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść