Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT10M11JVRU2
Poproś o wycenę
polski
1961770Obraz APT10M11JVRU2.Microsemi

APT10M11JVRU2

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$27.075
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT10M11JVRU2
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.APT10M11JVRU2.pdf
    2.APT10M11JVRU2.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 2.5mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-227
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    11 mOhm @ 71A, 10V
  • Strata mocy (max)
    450W (Tc)
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Inne nazwy
    APT10M11JVRU2MI
    APT10M11JVRU2MI-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    8600pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    300nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 142A (Tc) 450W (Tc) Chassis Mount SOT-227
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    142A (Tc)

STMicroelectronics and Allegro Announce Price Increases

2026/03/26

Electronics Weekly News | Mar 16 - 22, 2026

2026/03/24

Automotive Memory Applications & Selection Guide I

2026/03/17

Electronics Weekly News | Mar 9 - 15, 2026

2026/03/16

NXP Announces Price Adjustment Effective April 1, 2026

2026/03/12

Electronics Weekly News | Mar 2 - 8, 2026

2026/03/9

TI Announces Price Increase Effective April 1, 2026

2026/03/6

What the Global Supercomputer Rankings Reveal About the Fut...

2026/03/5

Electronics Weekly News | Feb 23 - Mar 1, 2026

2026/03/2

How to Identify Authentic Components | X-RAY Spotting Machine

2026/02/27

Electronics Weekly News | Feb 2 - 8, 2026

2026/02/9

Customer Case Study | Tier1 ADAS / Domain Controller Memory...

2026/02/19
Ustanowiliśmy długoterminowe partnerstwa z głównymi globalnymi dostawcami logistyki, oferując elastyczne i wydajne rozwiązania wysyłkowe dostosowane do twoich unikalnych potrzeb.W zależności od wielkości, wagi i miejsca docelowego zamówienia wybieramy najbardziej odpowiedniego przewoźnika.Zapewniamy również usługi śledzenia logistyki w czasie rzeczywistym, umożliwiając klientom zrozumienie lokalizacji i statusu ich towarów w dowolnym momencie. Jeśli masz określone międzynarodowe trasy wysyłkowe lub wyznaczonego napastnika towarowego, skontaktuj się z naszym zespołem sprzedaży-z przyjemnością dostosujemy Twoje wymagania.
Obsługujemy wiele metod płatności, w tym karty kredytowe, transfery przewodu i inne opcje, i akceptujemy większość walut.W przypadku zamówień złożonych w USD dostępne są dodatkowe opcje płatności.Aby uzyskać więcej informacji na temat metod i procedur płatności, skontaktuj się z naszym zespołem sprzedaży.
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT10M11JVRU2”.
APT11F80B

APT11F80B

Opis: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Opis: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Opis: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT102GA60L

APT102GA60L

Opis: IGBT 600V 183A 780W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Opis: IGBT 600V 183A 780W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT11F80S

APT11F80S

Opis: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Opis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Opis: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Opis: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Opis: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100S20BG

APT100S20BG

Opis: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Opis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Opis: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Opis: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Opis: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ

Review (1)

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościPliki do pobraniaMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.