Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT10M11B2VFRG
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
830184Obraz APT10M11B2VFRG.Microsemi

APT10M11B2VFRG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT10M11B2VFRG
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    APT10M11B2VFRG.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 2.5mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    T-MAX™
  • Seria
    POWER MOS V®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    11 mOhm @ 500mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    520W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3 Variant
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    10300pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    450nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 100A (Tc) 520W (Tc) Through Hole T-MAX™
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT10M11B2VFRG”.
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Opis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT11F80B

APT11F80B

Opis: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Opis: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Opis: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Opis: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Opis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100M50J

APT100M50J

Opis: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Opis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Opis: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100S20BG

APT100S20BG

Opis: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Opis: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Opis: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Opis: IGBT 600V 183A 780W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT11F80S

APT11F80S

Opis: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT102GA60L

APT102GA60L

Opis: IGBT 600V 183A 780W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Opis: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.