Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N6625E3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
959514Obraz 1N6625E3.Microsemi Corporation

1N6625E3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$21.80
10+
$20.165
25+
$18.53
100+
$17.222
250+
$15.805
500+
$15.042
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N6625E3
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Model ECAD
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Standard
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1A
  • Napięcie - Podział
    A, Axial
  • Seria
    -
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    -
  • Polaryzacja
    A, Axial
  • Temperatura pracy - złącze
    80ns
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    1N6625E3
  • Rozszerzony opis
    Diode Standard 1100V (1.1kV) 1A Through Hole A, Axial
  • Diode Configuration
    1µA @ 1000V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1.95V @ 1.5A
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    1100V (1.1kV)
  • Pojemność @ VR F
    -65°C ~ 150°C

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „1N6625E3”.
1N6629

1N6629

Opis: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6625US

1N6625US

Opis: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6625

1N6625

Opis: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6630

1N6630

Opis: DIODE GEN PURP 990V 1.4A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6627

1N6627

Opis: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6628

1N6628

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1.75A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6626

1N6626

Opis: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6628US

1N6628US

Opis: DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6620US

1N6620US

Opis: DIODE GEN PURP 220V 1.2A A-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6622

1N6622

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6627US

1N6627US

Opis: DIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6629US

1N6629US

Opis: DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6623

1N6623

Opis: DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6622US

1N6622US

Opis: DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6624US

1N6624US

Opis: DIODE GEN PURP 990V 1A A-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6621US

1N6621US

Opis: DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6624

1N6624

Opis: DIODE GEN PURP 990V 1A A-PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6623US

1N6623US

Opis: DIODE GEN PURP 880V 1A A-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6626US

1N6626US

Opis: DIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6621

1N6621

Opis: DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.