Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N6625US
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2065363Obraz 1N6625US.Microsemi

1N6625US

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$12.816
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N6625US
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.75V @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    1100V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    A-MELF
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    60ns
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SQ-MELF, A
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 1100V 1A Surface Mount A-MELF
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1µA @ 1100V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    10pF @ 10V, 1MHz
1N6623

1N6623

Opis: DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6626US

1N6626US

Opis: DIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6629

1N6629

Opis: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6630

1N6630

Opis: DIODE GEN PURP 990V 1.4A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6629US

1N6629US

Opis: DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6624

1N6624

Opis: DIODE GEN PURP 990V 1A A-PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6621

1N6621

Opis: DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6628

1N6628

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1.75A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6625E3

1N6625E3

Opis: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
1N6622

1N6622

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6626

1N6626

Opis: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6628US

1N6628US

Opis: DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6622US

1N6622US

Opis: DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6621US

1N6621US

Opis: DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6630US

1N6630US

Opis: DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6625

1N6625

Opis: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6627

1N6627

Opis: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6623US

1N6623US

Opis: DIODE GEN PURP 880V 1A A-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6627US

1N6627US

Opis: DIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6624US

1N6624US

Opis: DIODE GEN PURP 990V 1A A-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść