Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N5617US
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2405219

1N5617US

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$10.03
10+
$9.025
100+
$7.42
500+
$6.217
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N5617US
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 400V 1A D5A
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    1N5617US.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.6V @ 3A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    400V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D-5A
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    150ns
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SQ-MELF, A
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    7 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount D-5A
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    500nA @ 400V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    35pF @ 12V, 1MHz

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „1N5617US”.
1N5617GPHE3/54

1N5617GPHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5616

1N5616

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5618

1N5618

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5617GP-E3/54

1N5617GP-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5617C.TR

1N5617C.TR

Opis: DIODE GEN PURP 400V 2A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
RFQ
1N5616C.TR

1N5616C.TR

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
RFQ
1N5616US

1N5616US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5615GPHE3/54

1N5615GPHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5619GPHE3/54

1N5619GPHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5618US

1N5618US

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5615US

1N5615US

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5620

1N5620

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5619US

1N5619US

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5618GPHE3/54

1N5618GPHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5618GP-E3/54

1N5618GP-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
1N5617

1N5617

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5619GP-E3/54

1N5619GP-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5619

1N5619

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5617GP-E3/73

1N5617GP-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5619GP-E3/73

1N5619GP-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO201AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.